[实用新型]一种优化的区熔硅单晶的预热装置有效

专利信息
申请号: 201821039817.X 申请日: 2018-06-29
公开(公告)号: CN208395311U 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 刘凯;郝大维;刘愿;赵闯;吴峰;代长雷;孙晨光;王彦君;孙健 申请(专利权)人: 天津中环领先材料技术有限公司
主分类号: C30B13/16 分类号: C30B13/16;C30B29/06
代理公司: 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 代理人: 杨慧玲
地址: 300384 天津市滨海新区*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供了一种优化的区熔硅单晶的预热装置,包括石墨预热环及石英隔片;石墨预热环为圆柱体结构,其上顶面设有向下凹陷的碗状凹槽,碗状凹槽的底部设有通孔;石墨预热环表面环形上沿上包裹有石英隔片。本实用新型所述的优化的区熔硅单晶的预热装置具有良好预热效果的同时能够有效避免多晶母料被石墨预热环碳污染的情况发生,避免单晶硅中的碳含量超标,而且有效改善石墨预热环表面易于吸附杂质进入熔区导致单晶掉苞问题。
搜索关键词: 石墨 预热环 区熔硅单晶 预热装置 本实用新型 碗状凹槽 石英 隔片 优化 圆柱体结构 单晶硅 表面环形 向下凹陷 预热效果 上顶面 碳污染 单晶 多晶 母料 熔区 通孔 吸附 超标
【主权项】:
1.一种优化的区熔硅单晶的预热装置,其特征在于:包括石墨预热环(1)及石英隔片(2);所述石墨预热环(1)为圆柱体结构,其上顶面设有向下凹陷的碗状凹槽(3),所述碗状凹槽(3)的底部设有通孔(4);所述石墨预热环(1)表面安装有所述石英隔片(2)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津中环领先材料技术有限公司,未经天津中环领先材料技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821039817.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top