[实用新型]三维存储器有效
| 申请号： | 201821040889.6 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN208753319U | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 戴晓望;吕震宇;陈俊;陶谦;胡禺石;夏季;张中;李艳妮;鲍琨;张含玉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种三维存储器，包括核心区和阶梯区，所述阶梯区具有顶部选择区和分区阶梯结构区，所述顶部选择区和所述分区阶梯结构区具有高度相同的第一阶梯，且具有高度相同的第二阶梯；其中在所述顶部选择区，所述第一阶梯高于所述第二阶梯且比所述第二阶梯更靠近所述核心区；在所述分区阶梯结构区，所述第一阶梯高于所述第二阶梯且比所述第二阶梯更远离所述顶部选择区。本实用新型可以在形成分区时降低光刻的次数和光掩模的数量。 | ||
| 搜索关键词： | 选择区 阶梯结构 分区 本实用新型 三维存储器 核心区 阶梯区 光掩模 光刻 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器，其特征在于包括核心区和阶梯区，所述阶梯区具有顶部选择区和分区阶梯结构区，所述顶部选择区和所述分区阶梯结构区具有高度相同的第一阶梯，且具有高度相同的第二阶梯；其中在所述顶部选择区，所述第一阶梯高于所述第二阶梯且比所述第二阶梯更靠近所述核心区；在所述分区阶梯结构区，所述第一阶梯高于所述第二阶梯且比所述第二阶梯更远离所述顶部选择区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
