[实用新型]一种高频半导体薄膜场效应管有效
| 申请号： | 201821042302.5 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN208489202U | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 王一鸣;梁广大;宋爱民;辛倩 | 申请（专利权）人： | 山东大学苏州研究院;山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 褚庆森 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型的高频半导体薄膜场效应管，包括衬底、半导体层、栅介质层、源极、漏极和栅极，栅介质层与栅极之间设置有耐栅极刻蚀液腐蚀的阻隔层。本实用新型的高频半导体薄膜场效应管，由衬底、半导体层、栅介质层、源极、漏极、栅极和组隔层组成，通过在Al2O3栅介质层与栅极之间设置氧化铪HfO2组隔层，氧化铪薄膜可以在铝薄膜刻蚀完后有效阻隔刻蚀液对氧化铝的侵蚀，使得下一步气体干刻氧化铝的速度控制更准确，避免了干刻过程中对半导体层的过刻，保证了所获取的高频半导体薄膜场效应管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜场效应 高频半导体 半导体层 栅介质层 本实用新型 刻蚀液 氧化铝 衬底 隔层 漏极 源极 氧化铪薄膜 速度控制 铝薄膜 氧化铪 阻隔层 刻蚀 阻隔 腐蚀 侵蚀 保证 | ||
【主权项】：
1.一种高频半导体薄膜场效应管，包括衬底（1）、半导体层（2）、栅介质层（3）、源极（5）、漏极（6）和栅极（7），衬底由绝缘材料构成，半导体层设置于衬底上，栅介质层设置于半导体层的中央，栅极位于栅介质层的上方，源极和漏极分别设置于栅介质层两侧的半导体层上；其特征在于：所述栅介质层与栅极之间设置有耐栅极刻蚀液腐蚀的阻隔层（4）。
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