[实用新型]一种半导体外延结构有效
| 申请号： | 201821058596.0 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN208336255U | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 张康;赵维;陈志涛;贺龙飞;何晨光;吴华龙;廖乾光 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 唐维虎 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体外延结构，涉及半导体技术领域。半导体外延结构包括图形化衬底、AlN缓冲层、氮化物缓冲层以及氮化物合并层，图形化衬底、AlN缓冲层、氮化物缓冲层以及氮化物合并层逐层面连接，其中，图形化衬底包括周期性排布的多个正六边形结构，且多个正六边形结构按预设定参数排布，正六边形结构包括正六边形底面和与底面连接的锥体，且底面平行于衬底材料的c面，氮化物缓冲层沿每相邻两个正六边形结构的锥体之间的c面生长而成。本实用新型提供的半导体外延结构具有提高半导体表面的平整度并降低其位错密度，使得晶格质量更好的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体外延结构 正六边形结构 氮化物缓冲层 图形化 衬底 本实用新型 氮化物 合并层 底面 锥体 半导体技术领域 正六边形底面 半导体表面 周期性排布 衬底材料 平整度 预设定 晶格 排布 位错 平行 生长 | ||
【主权项】：
1.一种半导体外延结构，其特征在于，所述半导体外延结构包括图形化衬底、AlN缓冲层、氮化物缓冲层以及氮化物合并层，所述图形化衬底、所述AlN缓冲层、所述氮化物缓冲层以及所述氮化物合并层逐层面连接，其中，所述图形化衬底包括周期性排布的多个正六边形结构，且所述多个正六边形结构按预设定参数排布，所述正六边形结构包括正六边形底面和与所述底面连接的锥体，且所述底面平行于衬底材料的c面，所述氮化物缓冲层沿每相邻两个正六边形结构的所述锥体之间的c面生长而成。
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