[实用新型]具有场板结构的发光二极管器件有效
| 申请号： | 201821064984.X | 申请日： | 2018-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN208444856U | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 张紫辉;车佳漭;楚春双;张勇辉;田康凯 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/36;H01L33/14 |
| 代理公司： | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人： | 赵凤英 |
| 地址： | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型为一种具有场板结构的发光二极管器件。该器件主体为沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体传输层、多量子阱层、P‑型电流阻挡层、P‑型半导体传输层、P‑型重掺杂半导体传输层、场板结构层、电流扩展层和P‑型欧姆电极；所述的N‑型半导体传输层部分暴露，暴露的N‑型半导体传输层上分布有N‑型欧姆电极；其中，场板结构层位于P‑型重掺杂半导体传输层和电流扩展层之间，并嵌于电流扩展层；所使用的绝缘体材料为非掺杂的SiO2、Al2O3、Si3N4、AlN、LiF、金刚石或PMMA。本实用新型中具有场板结构的发光二极管器件，制作工艺简单，易于操作，可重复性强，生产成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 传输层 场板结构 半导体 发光二极管器件 电流扩展层 本实用新型 欧姆电极 重掺杂 外延生长方向 电流阻挡层 多量子阱层 绝缘体材料 生产成本低 可重复性 器件主体 制作工艺 金刚石 非掺杂 缓冲层 暴露 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种具有场板结构的发光二极管器件，其特征为该器件沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体传输层、多量子阱层、P‑型电流阻挡层、P‑型半导体传输层、P‑型重掺杂半导体传输层、场板结构层、电流扩展层和P‑型欧姆电极；所述的N‑型半导体传输层部分暴露，暴露的N‑型半导体传输层上分布有N‑型欧姆电极；其中，场板结构层位于P‑型重掺杂半导体传输层和电流扩展层之间，并嵌于电流扩展层；所使用的绝缘体材料为非掺杂的SiO2、Al2O3、Si3N4、AlN、LiF、金刚石或PMMA，厚度为0.1～1000 μm，宽度为1～1000 μm。
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