[实用新型]一种抗干扰的半桥驱动电路有效

专利信息
申请号: 201821068219.5 申请日: 2018-07-06
公开(公告)号: CN208316568U 公开(公告)日: 2019-01-01
发明(设计)人: 张靖竟;鄂凌松 申请(专利权)人: 北京金晟达生物电子科技有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32
代理公司: 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 代理人: 罗莎
地址: 102200 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种抗干扰的半桥驱动电路,通过输入QD_L端和QD_H端输入信号后,分别通过电感L1和电感L2后通过MOS管M1和MOS管M2后从MOS管M1的漏极输出,其中,MOS管M1栅极之前的电感L1能够有效抑制上电时电路中产生的尖峰干扰对MOS管M1的过冲,避免过冲造成MOS管M1的损坏;MOS管M2栅极之前的电感L2能够有效抑制上电时电路中产生的尖峰干扰对MOS管M2的过冲,从而有效避免过冲对MOS管M2的损坏。
搜索关键词: 电感 半桥驱动电路 尖峰干扰 有效抑制 抗干扰 上电 电路 本实用新型 漏极 输出
【主权项】:
1.一种抗干扰的半桥驱动电路,其特征在于,包括输入QD_L端和QD_H端,所述QD_H端连接变压器L的一个输入端,所述的变压器L的一个输出端连接电阻RA1的一端和电阻RA3的一端,所述的电阻RA1的另一端连接二极管D1的正极,所述二极管D1的负极连接三极管VA1的发射极、电阻RA5的一端、稳压管ZA1的负极和电感L1的一端,所述三极管VA1的集极与所述电阻RA3的另一端连接,所述三极管VA1的集电极与所述变压器L的另一个输出端、电阻RA5的另一端和稳压管ZA1的正极连接,所述电感L1的另一端连接MOS管M1的栅极,所述MOS管M1的源极连接所述稳压管ZA1的正极和MOS管M2的漏极,所述MOS管M2的栅极连接电感L2的一端,所述电感L2的另一端连接稳压管ZA2的负极、电阻RA6的一端、三极管VA2的发射极和二极管D2的负极,所述二极管D2的正极连接电阻RA2的一端,所述电阻RA2的另一端与所述输入QD_L端连接,所述输入QD_L端连接电阻RA4的一端,所述电阻RA4的另一端与所述三极管VA2的集极连接,所述三极管VA2的集电极连接电阻RA6的另一端、稳压管ZA2的正极和MOS管M2的源极。
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