[实用新型]实现PECVD氮化硅绕镀控制的载具结构有效
| 申请号： | 201821069691.0 | 申请日： | 2018-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN208577782U | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 董超;徐硕贤;金佳源;宋剑;陈景;张双玉 | 申请（专利权）人： | 江苏林洋光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458;C23C16/513;C23C16/34;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 刘畅;夏平 |
| 地址： | 226200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种实现PECVD氮化硅绕镀控制的载具结构，其特征在于所述载具(1)上设置多个凸出装置(2)，所述凸出装置(2)可以在载具(1)上升降和限位。硅片可水平放置在本申请提出的载具上进行工艺，在载具上有固定的凸出装置，凸出装置可以根据绕镀的需要调整不同的高度，将硅片边缘一定程度的抬起，实现稳定的氮化硅绕镀的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 凸出装置 氮化硅 载具 载具结构 本实用新型 硅片边缘 固定的 硅片 抬起 限位 申请 | ||
【主权项】：
1.一种实现PECVD氮化硅绕镀控制的载具结构，其特征在于所述载具(1)上设置多个凸出装置(2)，所述凸出装置(2)可以在载具(1)上升降和限位。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
