[实用新型]一种外延结构及发光二极管有效
| 申请号： | 201821081704.6 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN208336254U | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 宋长伟;程志青;黄文宾;寻飞林;林兓兓;蔡吉明 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本实用新型属于半导体领域，涉及一种外延结构及发光二极管，至少包括：第一导电型半导体层第二导电型半导体层；发光层，置于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间；其特征在于：所述发光层和第二导电型半导体层之间设置有第一电子阻挡层，所述第一电子阻挡层为含有Al组分的SiXN（1‑X）层，其中0 | ||
| 搜索关键词： | 导电型半导体层 电子阻挡层 外延结构 发光层 发光二极管 空穴注入效率 阻挡 半导体领域 本实用新型 晶格失配 量子效率 位错 溢流 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种外延结构，至少包括：第一导电型半导体层；第二导电型半导体层；发光层，置于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间；其特征在于：所述发光层和第二导电型半导体层之间设置有第一电子阻挡层，所述第一电子阻挡层为含有Al组分的SiXN（1‑X）层，其中0
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