[实用新型]一种用于3D深度获取设备的VCSEL阵列及该3D深度获取设备有效
| 申请号： | 201821088537.8 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN208368943U | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 蒋建华 | 申请（专利权）人： | 深圳市安思疆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 方艳平 |
| 地址： | 518129 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于3D深度获取设备的VCSEL阵列，包括发光组件和半导体基底，所述发光组件分布在所述半导体基底的表面；所述发光组件包括至少两组发光单元组，其中每组所述发光单元组包括多个相互导通的发光单元，各组所述发光单元组按照各自相对应的图案相互交错地分布在所述半导体基底上，且由各组所述发光单元组对应的图案组成的所述发光组件对应的图案是不规则图案；所述3D深度获取设备上设有至少两组导线，各组所述导线分别连接并用于驱动各组所述发光单元组。本实用新型还公开了一种3D深度获取设备。本实用新型能够在具体的3D应用中获取的深度精度与能耗之间取得很好的平衡。 | ||
| 搜索关键词： | 发光单元组 深度获取 发光组件 半导体基底 本实用新型 图案 两组 不规则图案 发光单元 导通 能耗 交错 驱动 平衡 | ||
【主权项】：
1.一种用于3D深度获取设备的VCSEL阵列，其特征在于，包括发光组件和半导体基底，所述发光组件分布在所述半导体基底的表面；其中：所述发光组件包括至少两组发光单元组，其中每组所述发光单元组包括多个相互导通的发光单元，各组所述发光单元组按照各自相对应的图案相互交错地分布在所述半导体基底上，且由各组所述发光单元组对应的图案组成的所述发光组件对应的图案是不规则图案；所述3D深度获取设备上设有至少两组导线，各组所述导线分别连接并用于驱动各组所述发光单元组。
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