[实用新型]喷淋头结构有效
| 申请号： | 201821106783.1 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN208637384U | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 林博文 | 申请（专利权）人： | 凯乐士股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人： | 黄超;周春发 |
| 地址： | 中国台湾桃园*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型揭露一种适用于晶圆表面处理的喷淋头结构，所述喷淋头结构包含：一座体，该座体的一面设有一进气口，且该座体设有连通该进气口一槽区；以及多孔质陶瓷盘，设置于该座体一面并覆盖该槽区，且该多孔质陶瓷盘具有复数个连通该槽区的连通孔隙；其中，该多孔质陶瓷盘的孔隙率为10%至50%，各该连通孔隙的直径为500μm以下。本实用新型能够降低传统使用金属材质喷淋头的制造成本，并能够减少杂质产生，且增长喷淋头使用寿命，进而改善制程作业稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 座体 多孔质陶瓷 喷淋头结构 槽区 进气口 本实用新型 连通孔隙 喷淋头 连通 作业稳定性 传统使用 金属材质 晶圆表面 使用寿命 制造成本 孔隙率 复数 制程 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种喷淋头结构，适用于晶圆表面处理，其特征在于，该喷淋头结构包含：一座体(10)，该座体(10)的一面设有一进气口(11)，且该座体(10)设有连通该进气口(11)的一槽区(12)；以及一多孔质陶瓷盘(20)，设置于该座体(10)的另一面并覆盖该槽区(12)，且该多孔质陶瓷盘(20)具有复数个连通该槽区(12)的连通孔隙(21)；其中，该多孔质陶瓷盘(20)的孔隙率为10%至50%，各该连通孔隙(21)的直径为500μm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
