[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201821107436.0 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN208622733U | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 倪贤锋;范谦;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构，包括：衬底、设置于所述衬底上的多个氮化镓缓冲层和多个介质层，以及位于所述氮化镓缓冲层上的铝镓氮势垒层，所述介质层位于所述氮化镓缓冲层之间的间隙，所述间隙将所述铝镓氮势垒层分隔成多个较小区域。本申请所提供的半导体结构，将衬底分隔成多个独立的部分，在所述独立区域内生长氮化镓缓冲层与铝镓氮势垒层，可以在提高铝组份的同时，防止铝镓氮薄膜产生微裂纹，提高器件的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓缓冲层 铝镓氮势垒层 半导体结构 衬底 介质层 分隔 铝镓氮薄膜 独立区域 铝组份 微裂纹 小区域 良率 申请 生长 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底、设置于所述衬底上的多个氮化镓缓冲层和多个介质层，以及位于所述氮化镓缓冲层上的铝镓氮势垒层，所述介质层位于所述氮化镓缓冲层之间的间隙，所述间隙将所述铝镓氮势垒层分隔。
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