[实用新型]薄膜绝缘层沉积加热器有效
| 申请号： | 201821109448.7 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN209000873U | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 朱祝司;秦许龙;尤道群 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种薄膜绝缘层沉积加热器,包括晶圆托盘、真空吸附结构、支撑结构和真空驱动装置，真空吸附结构设置在晶圆托盘上，支撑结构设置在晶圆托盘下方，真空驱动装置设置在支撑结构下方，真空吸附结构的真空管路穿过支撑结构连接真空驱动装置，晶圆托盘上还设有通风结构，通风结构的通风管路穿过支撑结构连接通风驱动装置相连。本实用新型通过在晶圆托盘上增加通风结构的方式来避免粉尘容易堆积在晶圆周缘，使气流方向由加热器内向加热器外，从而尽可能吹散粉尘，在有效地让硅片均匀受热的前提下避免了粉尘对产品的影响，提高产品的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆托盘 支撑结构 加热器 真空吸附结构 通风结构 真空驱动 粉尘 薄膜绝缘层 本实用新型 沉积 穿过 晶圆周缘 均匀受热 驱动装置 通风管路 真空管路 装置设置 良品率 有效地 硅片 吹散 堆积 通风 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜绝缘层沉积加热器,包括晶圆托盘、真空吸附结构、支撑结构和真空驱动装置，真空吸附结构设置在晶圆托盘上，支撑结构设置在晶圆托盘下方，真空驱动装置设置在支撑结构下方，真空吸附结构的真空管路穿过支撑结构连接真空驱动装置，其特征在于：晶圆托盘上还设有通风结构，通风结构的通风管路穿过支撑结构连接通风驱动装置相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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