[实用新型]一种基于SiC二极管的三相改进型双Buck/Boost变流器

摘要

本实用新型公开了一种基于SiC二极管的三相改进型双Buck/Boost的变流器，包括三相上下桥IGBT管、对应外接续流二极管，以及反向连接的交流IGBT开关；其交流侧设置LCL滤波器电路，而LCL滤波器电路变流器侧的电感由两个独立的电感组成。本实用新型上下IGBT管之间无死区，不仅可以实现能量的双向流动，有效减小了交流侧的电流谐波和电路的功率损耗，此外，通过设置反向连接的交流IGBT开关，可降低电流过零点畸变率，提高工作效率和工作性能。

主权项

1.一种基于SiC二极管的三相改进型双Buck/Boost的变流器，包括直流侧和交流侧，其特征是，包括直流侧电容(Cin1)和(Cin2)、A相上桥IGBT管(Sa1)、A相下桥IGBT管(Sa2)、A相交流IGBT开关(Sa3)和A相交流IGBT开关(Sa4)、B相上桥IGBT管(Sb1)、B相下桥IGBT管(Sb2)、B相交流IGBT开关(Sb3)和B相交流IGBT开关(Sb4)、C相上桥IGBT管(Sc1)、C相下桥IGBT管(Sc2)、C相交流IGBT开关(Sc3)和C相交流IGBT开关(Sc4)、A相上桥续流二极管(Da1)、A相下桥续流二极管(Da2)、B相上桥续流二极管(Db1)、B相下桥续流二极管(Db2)、C相上桥续流二极管(Dc1)、C相下桥续流二极管(Dc2)；所述A相上桥IGBT管(Sa1)的E极与A相下桥续流二极管(Da2)的阴极相连于连接点Oa，A相上桥续流二极管(Da1)的阳极与A相下桥IGBT管(Sa2)的C相连于连接点Ma，所述B相上桥IGBT管(Sb1)的E极与B相下桥续流二极管(Db2)的阴极相连于连接点Ob，B相上桥续流二极管(Db1)的阳极与B相下桥IGBT管(Sa2)的C极相连于连接点Mb，所述C相上桥IGBT管(Sc1)的E极与C相下桥续流二极管(Dc2)的阴极相连于连接点Oc，C相上桥续流二极管(Dc1)的阳极与C相下桥IGBT管(Sc2)的C极相连于连接点Mc；A相连接点Oa和直流电容器与电源中性点(N’)之间连接A相交流IGBT开关(Sa3)，所述A相交流IGBT开关(Sa3)的E极相连于连接点Oa且C极相连于直流电容器与电源中性点(N’)，A相连接点Ma和直流电容器与电源中性点(N’)之间连接A相交流IGBT开关(Sa4)，所述A相交流IGBT开关(Sa4)的C极相连于连接点Ma、A相交流IGBT开关(Sa4)的E极相连于直流电容器与电源中性点(N’)；B相连接点Ob和直流电容器与电源中性点(N’)之间连接B相交流IGBT开关(Sb3)，所述B相交流IGBT开关(Sb3)的E极相连于连接点Ob、B相交流IGBT开关(Sb3)的C极相连于直流电容器与电源中性点(N’)，B相连接点Mb和直流电容器与电源中性点(N’)之间连接B相交流IGBT开关(Sb4)，所述B相交流IGBT开关(Sb4)的C极相连于连接点Mb、B相交流IGBT开关(Sb4)的E极相连于直流电容器与电源中性点(N’)；C相连接点Oc和直流电容器与电源中性点(N’)之间连接C相交流IGBT开关(Sc3)，所述C相交流IGBT开关(Sc3)的E极相连于连接点Oc、C相交流IGBT开关(Sc3)的C极相连于直流电容器与电源中性点(N’)，C相连接点Mc和直流电容器与电源中性点(N’)之间增加C相交流IGBT开关(Sc4)，所述C相交流IGBT开关(Sc4)的C极相连于连接点Mc、C相交流IGBT开关(Sc4)的E极相连于直流电容器与电源中性点(N’)；所述A相上桥续流二极管(Da1)、A相下桥续流二极管(Da2)、B相上桥续流二极管(Db1)、B相下桥续流二极管(Db2)、C相上桥续流二极管(Dc1)和C相下桥续流二极管(Dc2)均采用SiC肖特基二极管。