[实用新型]电子集成电路芯片有效
| 申请号： | 201821113815.0 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN208706624U | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | M·罗维瑞;M·布夫尼彻尔;E·拉孔德 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L29/861;H01L21/3065;H01L21/56;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及电子集成电路芯片。该电子集成电路芯片，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的一个或多个电子部件；以及聚氟乙烯的绝缘层，所述聚氟乙烯的绝缘层的厚度介于100nm和3μm之间，所述聚氟乙烯的绝缘层覆盖所述半导体衬底的限定所述集成电路芯片的外周界的侧向面。 | ||
| 搜索关键词： | 电子集成电路 聚氟乙烯 衬底 绝缘层 半导体 芯片 集成电路芯片 绝缘层覆盖 电子部件 侧向面 外周界 | ||
【主权项】：
1.一种电子集成电路芯片，其特征在于，所述电子集成电路芯片包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的一个或多个电子部件；以及聚氟乙烯的绝缘层，所述聚氟乙烯的绝缘层的厚度介于100nm和3μm之间，所述聚氟乙烯的绝缘层覆盖所述半导体衬底的限定所述集成电路芯片的外周界的侧向面。
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