[实用新型]一种高压电容器的电介质薄膜加工装置有效

专利信息
申请号: 201821115945.8 申请日: 2018-07-16
公开(公告)号: CN208336004U 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 熊仕平;殷国富;陈珂 申请(专利权)人: 四川达优机械有限公司
主分类号: H01G13/00 分类号: H01G13/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 635000 四川省达州市经济开发区七河*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种高压电容器的电介质薄膜加工装置,其特征在于,其包括成膜单元、抽真空单元、氧化性气体供给单元、反应气体供给单元以及MCU控制单元,成膜单元包括成膜室、成膜台、电加热器、温度传感器,气体喷盘、压力传感器以及微波生成器;反应气体供给单元包括三条气体支路,有机钡盐气体支路,有机锶盐气体支路,有机钛盐气体支路,其中,有机钡盐气体、有机锶盐气体以及有机钛盐气体均是通过固体原料加热升华得到,通过单片机控制单元连接压力传感器和温度传感器监测成膜单元内的压力和温度,并且通过控制电加热单元和真空泵自动维持成膜单元内的压力和温度恒定。
搜索关键词: 成膜单元 气体支路 反应气体供给单元 电介质薄膜 高压电容器 温度传感器 加工装置 有机钡盐 有机钛盐 有机锶 单片机控制单元 连接压力传感器 抽真空单元 电加热单元 微波生成器 压力传感器 氧化性气体 电加热器 供给单元 固体原料 加热升华 温度恒定 成膜室 真空泵 成膜 喷盘 监测
【主权项】:
1.一种高压电容器的电介质薄膜加工装置,其特征在于,其包括成膜单元、抽真空单元、氧化性气体供给单元、反应气体供给单元以及MCU控制单元,成膜单元包括成膜室、成膜台、电加热器、温度传感器,气体喷盘、压力传感器以及微波生成器,抽真空单元包括真空开关阀、缓冲装置以及真空泵;氧化性气体供给单元包括三个气体支路,N2O支路、O2支路、氩气支路,在三种气体支路汇集后的还设置有气体加热器;反应气体供给单元包括三条气体支路,有机钡盐气体支路,有机锶盐气体支路,有机钛盐气体支路,其中,有机钡盐气体、有机锶盐气体以及有机钛盐气体均是通过固体原料加热升华得到,并且在有机钡盐气体、有机锶盐气体以及有机钛盐气体支路中均通入到Ar气,使得Ar气将上述气体供应到体支路供应装置,在上述的每条支路上均包括气体压力传感器、气体控制器;MCU控制单元与气体压力传感器、温度传感器以及压力传感器相连接,用于采集温度和压力数据,MCU控制单元与电加热器、真空泵以及气体控制器相连接,用于控制反应温度和压力;气体喷盘设置于成膜室的顶部,其包括进气管、盖体和喷淋装置,喷淋装置的设置在盖体下方,并与盖体之间形成导流室,喷淋装置上设置有气体喷头,气体喷头与导流室连通。
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