[实用新型]一种管式PECVD炉TMA供气系统有效
申请号: | 201821130941.7 | 申请日: | 2018-07-17 |
公开(公告)号: | CN208762574U | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 李致文;肖四哲;张勇;伍波 | 申请(专利权)人: | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;C23C16/50 |
代理公司: | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 | 代理人: | 尹彦;胡朝阳 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区横*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种管式PECVD炉TMA供气系统,其包括依次连接的氮气源、送气管路、TMA瓶、送液管路、液体流量计(LFM01)、蒸发器(CEM)、工艺气体输出管路,所述氮气源与蒸发器之间还串接混气管路和第一质量流量计(FMC01),所述送气管路中串接送气阀、送液管路中串接送液阀、混气管路中串接混气阀(PV02),控制器控制送气阀、送液阀和混气阀的启闭,并根据两流量计所测流量控制两流量计的开启度;本实用新型使传统的PECVD设备具备了做氧化铝的工艺,一站式解决ALOX加SiNX的叠层沉积,厚度<12nm时具有极好的钝化效果;操作简单,叠层沉积一步完成,仅需更改相关配方参数;采用了双TMA源瓶为系统供气,使更换空源瓶时也不影响系统供气。 | ||
搜索关键词: | 串接 流量计 本实用新型 供气系统 送气管路 送液管路 氮气源 混气阀 混气管 送气阀 蒸发器 叠层 种管 沉积 供气 控制器控制 液体流量计 质量流量计 钝化效果 工艺气体 流量控制 配方参数 输出管路 一步完成 依次连接 影响系统 传统的 开启度 送液阀 一站式 氧化铝 空源 启闭 液阀 源瓶 | ||
【主权项】:
1.一种管式PECVD炉TMA供气系统,其特征在于:包括依次连接的氮气源、送气管路、TMA瓶、送液管路、液体流量计(LFM01)、蒸发器(CEM)、工艺气体输出管路,所述氮气源与蒸发器之间还串接混气管路和第一质量流量计(FMC01),所述送气管路中串接送气阀、送液管路中串接送液阀、混气管路中串接混气阀(PV02),所述液体流量计和第一质量流量计连接控制器,控制器控制送气阀、送液阀和混气阀的启闭,并根据两流量计所测流量控制液体流量计和第一质量流量计的开启度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司,未经深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821130941.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种真空低温磁控溅射镀膜机
- 下一篇:基片传输系统
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的