[实用新型]一种高密度多层堆叠MIM电容器及像素电路与成像装置有效
申请号: | 201821134326.3 | 申请日: | 2018-07-17 |
公开(公告)号: | CN208336220U | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 徐辰;李跃;戚德奎;石文杰;邵泽旭 | 申请(专利权)人: | 昆山晔芯电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64;H01L27/146 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 215002 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种高密度多层堆叠MIM电容器及像素电路与成像装置。该高密度多层堆叠MIM电容器包括:至少两层下电极板层;至少一层上电极板层,每层上电极板层位于相邻两层下电极板层之间;至少两层介质层,每层介质层位于相邻的下电极板层和上电极板层之间;至少一个下极板金属通孔,每个下极板金属通孔至少连接一层下电极板层;至少一个上极板金属通孔,每个上极板金属通孔至少连接一层上电极板层;至少一层下电极板层包括下极板互连金属层结构,下极板互连金属层包括两层金属氮化物层及其间内夹的金属板层,金属板层设置有多个沟槽,金属板层上表面的金属氮化物层具有与沟槽相应的沟槽形貌。该MIM电容器能够成倍提高单位面积的电容值。 | ||
搜索关键词: | 下电极板 极板 两层 上电 通孔 金属板层 堆叠 多层 金属氮化物层 互连金属层 上极板金属 下极板金属 成像装置 像素电路 介质层 下极板 本实用新型 沟槽形貌 上表面 电容 内夹 | ||
【主权项】:
1.一种高密度多层堆叠MIM电容器,其包括:至少两层下电极板层;至少一层上电极板层,每层上电极板层位于相邻两层下电极板层之间;至少两层介质层,每层介质层位于相邻的下电极板层和上电极板层之间;至少一个下极板金属通孔,每个下极板金属通孔中均设置有外连电极,每个下极板金属通孔至少连接一层下电极板层,且全部下极板金属通孔连接至同一个下极板外连线;至少一个上极板金属通孔,每个上极板金属通孔中均设置有外接电极,每个上极板金属通孔至少连接一层上电极板层,且全部上极板金属通孔连接至同一个上极板外连线;其中,至少一层下电极板层包括下极板互连金属层结构,所述下极板互连金属层包括两层金属氮化物层及其间内夹的金属板层,所述金属板层设置有多个沟槽,所述金属板层上表面的金属氮化物层具有与所述沟槽相应的沟槽形貌。
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