[实用新型]反熔丝及存储装置有效
申请号: | 201821134780.9 | 申请日: | 2018-07-17 |
公开(公告)号: | CN208637426U | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 王文轩;沈健;王红超;周红星 | 申请(专利权)人: | 深圳市为通博科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/112 | 分类号: | H01L27/112;G11C17/16 |
代理公司: | 北京合智同创知识产权代理有限公司 11545 | 代理人: | 李杰 |
地址: | 518052 广东省深圳市南山区南头*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型实施例提供一种反熔丝及存储装置,其中,反熔丝包括至少一个反熔丝单元,反熔丝单元包括:场效应管,其包括衬底和设置于衬底的第一掺杂区、第二掺杂区以及栅电极;和第一电极,其设置于衬底,并与衬底形成反熔丝电容,第一电极与第一掺杂区连接,所述衬底、所述栅电极、所述第二掺杂区作为所述反熔丝单元的控制端口,通过所述控制端口向所述反熔丝单元写入数据,或者,通过所述控制端口确定所述反熔丝单元是否被写入数据,通过将第一电极与衬底分别作为反熔丝电容的一对极板,可以省略反熔丝单元的一端口。 | ||
搜索关键词: | 反熔丝单元 衬底 反熔丝 掺杂区 第一电极 控制端口 存储装置 写入数据 栅电极 电容 本实用新型 场效应管 省略 极板 | ||
【主权项】:
1.一种反熔丝,其特征在于,所述反熔丝包括至少一个反熔丝单元,其中,所述反熔丝单元包括:场效应管,其包括衬底和设置于所述衬底的第一掺杂区、第二掺杂区以及栅电极;和第一电极,其设置于所述衬底,并与衬底形成反熔丝电容,所述第一电极与所述第一掺杂区连接;所述衬底、所述栅电极、所述第二掺杂区作为所述反熔丝单元的控制端口,通过所述控制端口向所述反熔丝单元写入数据,或者,通过所述控制端口确定所述反熔丝单元是否被写入数据。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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