[实用新型]一种Micro LED封装结构有效
| 申请号： | 201821135451.6 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN208352328U | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 刘国旭;申崇渝;黄志勇 | 申请（专利权）人： | 易美芯光（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种Micro LED封装结构，包括CMOS结构，发光二极管，用于连接所述CMOS结构和所述发光二极管的锡膏，以及设置在所述发光二极管上表面的透明保护层；所述发光二极管包括P极，间隔设置在所述P极下方的N极，以及设置在所述P极下表面和N极上表面之间的量子阱；所述N极和P极之间形成的空隙处设有一层用于提高所述发光二极管发光效率的绝缘物质。本实用新型的Micro LED为共P分N的结构，不仅有效的避免共N型结构存在的先Bonding再刻蚀所带来的对CMOS结构的影响；而且有效解决了分离LED芯片进行巨量转移所带来的精度问题以及释放难题；而且本实用新型的Micro LED封装结构能有效提高微米芯片的光效、导电性和透光性。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 本实用新型 上表面 导电性 透明保护层 发光效率 间隔设置 精度问题 绝缘物质 有效解决 空隙处 量子阱 透光性 下表面 光效 刻蚀 锡膏 芯片 释放 | ||
【主权项】：
1.一种Micro LED封装结构，其特征在于，包括CMOS结构，发光二极管，用于连接所述CMOS结构和所述发光二极管的锡膏，以及设置在所述发光二极管上表面的透明保护层；所述发光二极管包括P极，间隔设置在所述P极下方的N极，以及设置在所述P极下表面和N极上表面之间的量子阱；所述N极和P极之间形成的空隙处设有一层用于提高所述发光二极管发光效率的绝缘物质。
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