[实用新型]电容阵列结构

摘要

本实用新型提供一种电容阵列结构，包括：于半导体衬底上形成叠层结构；刻蚀叠层结构形成电容孔；刻蚀叠层结构使得叠层结构具有垂直于半导体衬底的平坦外侧壁；形成下电极层、阵列边界层及具有多个开口的第三掩膜层；基于开口去除叠层结构中的牺牲层；形成电容介质层、上电极层及导电填充层，导电填充层具有垂直于半导体衬底平坦的外侧壁；去除电容阵列所在区域外围的导电材料。本实用新型通过阵列边界层的设置，使电容阵列的边缘具有垂直于半导体衬底的平坦表面，提高电容阵列外围绝缘材料层的沉积质量，避免绝缘材料层中出现缝隙，进而避免电容阵列与导电栓塞的短路以及导电栓塞之间的短路，以此提高半导体器件的良率。

主权项

1.一种电容阵列结构，其特征在于，所述电容阵列结构至少包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有电容触点阵列；多个下电极层，分别接合于所述电容触点阵列中的各电容触点上，所述下电极层的截面呈U型；阵列边界层，纵向设置于所述电容阵列结构的边缘，以使得所述电容阵列结构具有平坦外侧壁；电容介质层，形成于所述下电极层的内表面及外表面；上电极层，形成于所述电容介质层的表面；及导电填充层，形成于所述上电极层表面。