[实用新型]一种SiC MOSFET驱动电路系统有效
申请号: | 201821150342.1 | 申请日: | 2018-07-19 |
公开(公告)号: | CN209001922U | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 王建渊;林文博 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687;H03K17/04;H03K17/16 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 谈耀文 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开的一种SiC MOSFET驱动电路系统,包括供电电源模块PM1,供电电源模块PM1依次连接有自举供电电路、上桥臂高速隔离驱动芯片U1、上桥臂SiC MOSFET驱动电路及上桥臂SiC MOSFET开关管S1,供电电源模块PM1还依次连接有下桥臂高速隔离驱动芯片U2、下桥臂SiC MOSFET驱动电路及下桥臂SiC MOSFET开关管S2,S1和S2的中点桥臂连接负载,S1漏极连接半桥母线DC_BUS+,S2源极连接半桥母线DC_BUS‑;还包括有逻辑门电平转化电路UT1,UT1分别与U1和U2连接。 | ||
搜索关键词: | 供电电源模块 上桥臂 下桥臂 高速隔离 驱动芯片 依次连接 半桥 母线 电平转化电路 本实用新型 供电电路 源极连接 逻辑门 漏极 桥臂 自举 | ||
【主权项】:
1.一种SiC MOSFET驱动电路系统,其特征在于,包括供电电源模块PM1,所述供电电源模块PM1依次连接有自举供电电路、上桥臂高速隔离驱动芯片U1、上桥臂SiC MOSFET驱动电路及上桥臂SiC MOSFET开关管S1,所述供电电源模块PM1还依次连接有下桥臂高速隔离驱动芯片U2、下桥臂SiC MOSFET驱动电路及下桥臂SiC MOSFET开关管S2,所述上桥臂SiC MOSFET开关管S1和下桥臂SiC MOSFET开关管S2的中点桥臂连接负载,所述上桥臂SiC MOSFET开关管S1漏极连接半桥母线DC_BUS+,所述下桥臂SiC MOSFET开关管S2源极连接半桥母线DC_BUS‑;还包括有逻辑门电平转化电路UT1,所述逻辑门电平转化电路UT1分别与上桥臂高速隔离驱动芯片U1和下桥臂高速隔离驱动芯片U2连接。
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