[实用新型]引线框架及半导体器件有效
| 申请号： | 201821153533.3 | 申请日： | 2018-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN208368498U | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 谭伟忠;陈飞;周魁伟;都俊兴;周杰 | 申请（专利权）人： | 深圳赛意法微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232 | 代理人： | 刘抗美;张晋晋 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种引线框架及半导体器件，引线框架包括多个框架单元，各框架单元中第二侧管脚设置在中间管脚的另一侧，第二侧管脚包括第二内管脚，第二内管脚沿靠近中间管脚的方向增大，且第二内管脚靠近中间管脚的一侧具有一由顶端延伸至底端的斜边，该斜边与中间管脚的侧边相对且平行。第二内管脚沿中间管脚的方向增大，可使其焊接面积增大，实现多根直径较粗的引线的焊接，增大第二侧管脚的过电流能力；第二内管脚具有由顶端向底端延伸的斜边，该斜边与中间管脚的侧边相对且平行，能够使第二侧管脚与中间管脚相对的部分之间的间距一致，降低相邻管脚之间产生击穿的风险，保证产品稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 中间管脚 内管 侧管脚 斜边 引线框架 半导体器件 框架单元 侧边 焊接 平行 本实用新型 产品稳定性 过电流能力 顶端延伸 间距一致 面积增大 击穿 粗的 底端 管脚 延伸 保证 | ||
【主权项】：
1.一种引线框架，包括多个框架单元，其特征在于，各所述框架单元均包括：散热部；芯片基岛，用于安装芯片，所述芯片基岛连接所述散热部；中间管脚，连接在所述芯片基岛的底部；第一侧管脚，设置在所述中间管脚的一侧；第二侧管脚，设置在所述中间管脚的另一侧，所述第二侧管脚包括第二内管脚，所述第二内管脚沿靠近所述中间管脚的方向增大，且所述第二内管脚靠近所述中间管脚的一侧具有一由顶端延伸至底端的斜边，所述斜边与所述中间管脚的侧边相对且平行。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳赛意法微电子有限公司，未经深圳赛意法微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821153533.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有线路支架
- 下一篇：一种超薄带单向TVS抗浪涌的MINI整流桥
