[实用新型]一种Ni纳米线阵列太赫兹衰减器有效
| 申请号： | 201821166538.X | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN208705507U | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 郭海中;姚江峰;相文峰 | 申请（专利权）人： | 郑州大学;中国石油大学（北京） |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;G02B1/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐宁;孙楠 |
| 地址： | 450001 河南省郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种Ni纳米线阵列太赫兹衰减器，其特征在于：其包括基底、有序排列在所述基底上的Ni纳米线层以及涂覆在所述Ni纳米线层上的保护层。所述Ni纳米线阵列层包括相互正交的若干Ni纳米线阵列层。各所述Ni纳米线阵列层均包括多组平行间隔排列的Ni纳米线阵列单元，且所述上层Ni纳米线阵列层中的各组Ni纳米线阵列单元均与所述下层Ni纳米线阵列层中的各组Ni纳米线阵列单元相正交。本实用新型可以广泛应用于太赫兹衰减器及其相关领域。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线阵列 衰减器 本实用新型 纳米线层 基底 平行间隔排列 保护层 正交的 涂覆 下层 正交 上层 应用 | ||
【主权项】：
1.一种Ni纳米线阵列太赫兹衰减器，其特征在于：其包括基底、有序排列在所述基底上的Ni纳米线层以及涂覆在所述Ni纳米线层上的保护层。
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