[实用新型]用于具有自偏置掩埋层的半导体器件的隔离结构

摘要

本实用新型公开了一种用于具有自偏置掩埋层的半导体器件的隔离结构，包括浮动掩埋掺杂区、设置在浮动掩埋掺杂区与第一主表面之间的第一掺杂区、以及设置在浮动掩埋掺杂区与第二主表面之间的半导体区。沟槽隔离结构从所述第一主表面延伸且终止于所述半导体区内，并且所述浮动掩埋掺杂区邻接所述沟槽隔离结构。第二掺杂区设置在所述第一掺杂区中，具有与所述第一掺杂区相反的导电类型。第一隔离器件设置在所述第一掺杂区中，并且被配置为将注入到所述半导体器件中的电流从其他区域转移，从而延迟内部SCR结构的触发。在一个实施方案中，第二隔离结构设置在所述第一掺杂区内，并且被配置为破坏沿着所述沟槽隔离结构的侧壁表面的泄漏路径。

主权项

1.一种隔离结构，用于具有自偏置掩埋层的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构包括：自隔离块状半导体衬底、沟槽隔离结构、第一导电类型的第二掺杂区以及第一隔离器件，所述自隔离块状半导体衬底具有第一主表面和相对的第二主表面，其中所述自隔离块状半导体衬底包括：第一导电类型的浮动掩埋掺杂区；设置在所述浮动掩埋掺杂区与所述第一主表面之间的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第一掺杂区，其中所述第一掺杂区邻接所述浮动掩埋掺杂区；以及设置在所述浮动掩埋掺杂区与所述第二主表面之间的所述第二导电类型的半导体区；所述沟槽隔离结构从所述第一主表面延伸穿过所述第一掺杂区，延伸穿过所述浮动掩埋掺杂区，并且延伸进入所述半导体区中，其中所述浮动掩埋掺杂区邻接所述沟槽隔离结构；所述第一导电类型的第二掺杂区在所述第一掺杂区内；所述第一隔离器件设置在所述第二掺杂区与所述沟槽隔离结构之间的所述第一掺杂区中，所述第一隔离器件包括：所述第一导电类型的第一隔离第一掺杂区；以及设置在所述第二掺杂区与所述第一隔离第一掺杂区之间的所述第二导电类型的第一隔离第二掺杂区，其中所述第一隔离第一掺杂区被电短接到所述第一隔离第二掺杂区。