[实用新型]用于薄片晶体的二维定向误差精密测量系统有效

专利信息
申请号: 201821166717.3 申请日: 2018-07-23
公开(公告)号: CN208520344U 公开(公告)日: 2019-02-19
发明(设计)人: 安宁;吴华峰;李朝阳;徐勇 申请(专利权)人: 安徽创谱仪器科技有限公司
主分类号: G01B15/00 分类号: G01B15/00;G01N23/20
代理公司: 合肥诚兴知识产权代理有限公司 34109 代理人: 汤茂盛
地址: 230000 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型公开了一种用于薄片晶体的二维定向误差精密测量系统,系统中X‑射线源照射至单色器后获得单色光射向利用支架固定的待测晶体样品,支架绕位于铅垂方向的Z轴、与Z轴垂直的位于水平向的Y轴的转动,支架在垂直于Y轴的方向上直线位移,待测晶体样品的待测晶面与Y轴垂直。采用上述测量系统可以实现二维定向误差测量;不依赖标准晶体,测量结果精度高;可以得到定向误差大小及方向两方面信息。
搜索关键词: 定向误差 二维 精密测量系统 薄片晶体 晶体样品 支架 垂直 本实用新型 标准晶体 测量系统 铅垂方向 支架固定 直线位移 垂直的 单色光 单色器 射线源 水平向 晶面 转动 照射 测量
【主权项】:
1.一种用于薄片晶体的二维定向误差精密测量系统,其特征在于:X‑射线源(20),X‑射线源(20)照射至单色器(30)后获得单色光射向待测晶体样品(A),工作台(10)上设置有支架固定待测晶体样品(A),支架绕位于铅垂方向的Z轴、与Z轴垂直的位于水平向的Y轴的转动,支架在垂直于Y轴方向的平面上直线位移,待测晶体样品(A)的待测晶面与Y轴垂直。
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