[实用新型]一种基于钙钛矿材料的阻变存储器有效
| 申请号： | 201821174070.9 | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN208444862U | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 周潇文;王浩;何玉立;蔡恒梅;马国坤 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于钙钛矿材料的阻变存储器，属于功能器件技术领域。本实用新型的阻变存储器从上至下依次包括顶电极、卤化物钙钛矿层、二氧化钛薄膜层、底电极和玻璃基底，所述卤化物钙钛矿材料中掺杂有Zr元素，所述的卤化物钙钛矿材料的分子通式为ABX3，其中：A＝CH3NH3或Cs；B＝Pb；X＝Cl，Br或I。本实用新型仅通过在底电极与钙钛矿薄膜层之间添加一层二氧化钛薄膜，同时在钙钛矿薄膜中掺入Zr元素，使本实用新型制得的阻变存储器的开关比和稳定性明显提高，器件功耗显著减低。另外，由于本实用新型的阻变存储器制备成本低，制备工艺简单，有利于产业化应用，具有良好的市场应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 本实用新型 阻变存储器 卤化物钙钛矿 钙钛矿薄膜 钙钛矿材料 底电极 二氧化钛薄膜层 二氧化钛薄膜 产业化应用 从上至下 分子通式 钙钛矿层 功能器件 器件功耗 市场应用 制备工艺 玻璃基 顶电极 开关比 卤化物 掺入 制备 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种基于钙钛矿材料的阻变存储器，其特征在于：所述存储器从上至下依次包括顶电极、卤化物钙钛矿层、二氧化钛薄膜层、底电极和玻璃基底，其中：所述卤化物钙钛矿材料中掺杂有Zr元素。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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H01L51-52 ..器件的零部件
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