[实用新型]基于半导体制冷的降温仪有效

专利信息
申请号: 201821203187.5 申请日: 2018-07-27
公开(公告)号: CN208892920U 公开(公告)日: 2019-05-24
发明(设计)人: 李世睿 申请(专利权)人: 珠海市睿康医疗科技有限公司
主分类号: A61F7/00 分类号: A61F7/00
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 温旭
地址: 519000 广东省珠海市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开一种基于半导体制冷的降温仪,该降温仪包括壳体、壳体内设置有控制单元以及供电单元,供电单元为控制单元输出电能,控制单元包括控制芯片、功率驱动模块、半导体制冷模块,控制芯片输出控制信号至功率驱动模块,功率驱动模块输出驱动信号至半导体制冷模块。本实用新型的基于半导体制冷的降温仪通过控制芯片控制功率驱动模块,对半导体制冷模块进行制冷驱动,半导体制冷模块将电能转换成热能对冰带或水囊进行制冷,可以对需要降温的使用者进行物理降温,从而实现带走热量起到降温退热的目的。
搜索关键词: 降温仪 半导体制冷模块 功率驱动模块 半导体制冷 控制芯片 本实用新型 供电单元 控制单元输出 输出驱动信号 导体 电能转换 控制功率 驱动模块 输出控制 物理降温 制冷模块 制冷驱动 冰带 壳体 水囊 退热 制冷 体内
【主权项】:
1.基于半导体制冷的降温仪,包括壳体,所述壳体内设置有控制单元以及供电单元,所述供电单元为所述控制单元输出电能,其特征在于:所述控制单元包括控制芯片、功率驱动模块、半导体制冷模块,所述控制芯片输出控制信号至所述功率驱动模块,所述功率驱动模块输出驱动信号至所述半导体制冷模块;所述功率驱动模块包括第一MOS管、第二MOS管、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管,所述第一MOS管的栅极与所述第一晶体管的集电极电连接,所述第二晶体管的基极与所述控制芯片电连接,所述第二MOS管的栅极与所述第三晶体管的发射极电连接,所述第四晶体管的基极与所述第五晶体管的集电极电连接,所述第五晶体管的基极与所述控制芯片电连接。
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