[实用新型]一种垂直腔面发射激光器

摘要

本实用新型公开了一种垂直腔面发射激光器，该激光器包括半导体衬底、主激光器和种子源激光器，所述主激光器包括由下至上依次布设的第一缓冲层、第一N面电流引导层、第一有源区、第一高铝层、第一P型分布式布拉格反射镜层和第一P面电流引导层。本实用新型结构简单、设计合理且体积小，通过种子源激光器提高主激光器输出高功率激光光束的光束质量，并能压缩激光线宽，实用性强。

主权项

1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于：包括半导体衬底(110)、设置在半导体衬底(110)上部的主激光器和设置在半导体衬底(110)下部的种子源激光器，所述主激光器包括由下至上依次布设的第一缓冲层(111)、第一N面电流引导层(108)、第一有源区(109)、第一高铝层(104)、第一P型分布式布拉格反射镜层(103)和第一P面电流引导层(102)，所述第一有源区(109)的圆周边缘由内至外依次设置有第一电流阻挡层(105)和第一N面电极(107)，所述第一高铝层(104)的圆周边缘设置有第一氧化限制层(106)，所述第一P面电流引导层(102)的上表面设置有横截面为环形的第一P面电极(101)；所述种子源激光器包括由上至下依次布设的第二缓冲层(209)、N型分布式布拉格反射镜层(211)、第二N面电流引导层(201)、第二有源区(204)、第二高铝层(210)、第二P型分布式布拉格反射镜层(206)和第二P面电流引导层(207)，所述第二有源区(204)的圆周边缘由内至外依次设置有第二电流阻挡层(203)和第二N面电极(202)，所述第二高铝层(210)的圆周边缘设置有第二氧化限制层(205)，所述第二P面电流引导层(207)的底面设置有第二P面电极(208)。