[实用新型]边发射激光器耦合结构有效
| 申请号： | 201821229888.6 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN208723312U | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 何慧敏;孙瑜;刘丰满 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李博洋 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种边发射激光器耦合结构，包括：第二基板；待耦合器件，其入光面设置于所述第二基板的第一表面上或者所述第二基板的第二表面一侧，所述第二表面与所述第一表面相对设置；块体，设置在所述第二基板的第一表面上，所述块体的第二表面朝向所述第二基板设置；布线结构，设置在所述块体的第一表面上，所述块体的第一表面与所述块体的第二表面相邻；边发射激光器，设置于所述布线结构上，出光面朝向所述第二基板。通过本实用新型，设置在布线结构上的边发射激光器的侧向出光面便可以不经反射而直接射向待耦合器件的入光面，无需精确贴装反光器件，降低了工艺复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 第二基板 第一表面 块体 边发射激光器 第二表面 布线结构 本实用新型 耦合结构 耦合器件 出光面 入光面 侧向 工艺复杂度 反光器件 相对设置 贴装 反射 | ||
【主权项】：
1.一种边发射激光器耦合结构，其特征在于，包括：第二基板；待耦合器件，其入光面设置于所述第二基板的第一表面上或者所述第二基板的第二表面一侧，所述第二表面与所述第一表面相对设置；块体，设置在所述第二基板的第一表面上，所述块体的第二表面朝向所述第二基板设置；布线结构，设置在所述块体的第一表面上，所述块体的第一表面与所述块体的第二表面相邻；边发射激光器，设置于所述布线结构上，出光面朝向所述第二基板。
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