[实用新型]用于半导体功率器件的终端有效
| 申请号： | 201821239410.1 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN208478341U | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 缪志平 | 申请（专利权）人： | 盛廷微电子（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/739 |
| 代理公司： | 东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙) 44251 | 代理人： | 刘汉民 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种用于半导体功率器件的终端，该用于半导体功率器件的终端包括：集电极、基区、多个环状的场限环以及多个与所述场限环对应的金属场板，所述场限环之间间隔设置，相邻两个所述场限环之间的间距相等，所述场限环包括多个主弯曲部和多个主平直部，所述主弯曲部位于相邻两个主平直部之间，所述主弯曲部的宽度沿所述主弯曲部的中间向其两侧递减，所述场限环的所述主弯曲部的宽度大于对应的场限环的所述主平直部的宽度；沿靠近所述场限环的几何中心侧向远离所述场限环的几何中心侧的主弯曲部的宽度递增。本实用新型的用于半导体功率器件的终端，能够减小拐角处的电场尖峰以及提高半导体功率器件的稳定性及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 场限环 半导体功率器件 主弯曲部 平直部 终端 本实用新型 几何中心 侧向 电场尖峰 间隔设置 间距相等 金属场板 弯曲部位 拐角处 集电极 基区 减小 递减 递增 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体功率器件的终端，其特征在于，包括：集电极、基区、多个环状的场限环以及多个与所述场限环对应的金属场板，所述场限环之间间隔设置，相邻两个所述场限环之间的间距相等，所述场限环包括多个主弯曲部和多个主平直部，所述主弯曲部位于相邻两个主平直部之间，所述主弯曲部的宽度沿所述主弯曲部的中间向其两侧递减，所述场限环的所述主弯曲部的宽度大于对应的场限环的所述主平直部的宽度；沿靠近所述场限环的几何中心侧向远离所述场限环的几何中心侧的主弯曲部的宽度递增；所述金属场板也具有最大宽度和最小宽度，所述金属场板的最大宽度与所述金属场板的最小宽度之间的差值位于第二预设范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盛廷微电子（深圳）有限公司，未经盛廷微电子（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821239410.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示面板和显示器件
- 下一篇：一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构
- 同类专利
- 专利分类
