[实用新型]一种短距离通信高速光电二极管芯片

摘要

本实用新型公开了一种短距离通信高速光电二极管芯片，本实用新型技术方案采用非掺杂GaAs衬底，在非掺杂GaAs衬底上形成与非掺杂GaAs衬底晶格匹配的外延功能层，可以使得接收速率为10Gbps的光电二极管芯片在小于1公里的范围内接收850nm的光信号，扩大了接收速率为10Gbps的光电二极管芯片在小于1公里的范围内接收850nm的光信号。

主权项

1.一种短距离通信高速光电二极管芯片，其特征在于，所述光电二极管芯片包括：芯片衬底，所述芯片衬底为非掺杂GaAs衬底；设置在所述芯片衬底一侧表面的外延功能层；所述外延功能层具有位于所述芯片衬底表面的负极凸台以及位于所述负极凸台背离所述芯片衬底一侧表面的正极凸台；所述负极凸台背离所述芯片衬底一侧的表面具有第一区域以及包围所述第一区域的第二区域，所述正极凸台位于所述第一区域；位于所述正极凸台背离所述负极凸台一侧表面的第一电极环；位于所述第二区域的第二电极环；其中，所述正极凸台背离所述负极凸台的一侧表面为圆形。