[实用新型]半导体发光芯片有效
| 申请号： | 201821242998.6 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN208690283U | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 邬新根;刘英策;李俊贤;魏振东 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/32;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244 | 代理人： | 李高峰;孟湘明 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一半导体发光芯片，其中所述半导体发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、至少两绝缘层、一防扩散层以及一电极组，其中一个所述绝缘层环绕在所述反射层的内侧，另一个所述绝缘层环绕在所述反射层的外侧，并且所述绝缘层隔离所述防扩散层和所述P型半导体层，其中所述电极组包括一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极被电连接于所述P型半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 半导体发光芯片 反射层 防扩散层 电极组 电连接 衬底 环绕 本实用新型 绝缘层隔离 源区 生长 | ||
【主权项】：
1.一半导体发光芯片，其特征在于，包括：一衬底；一外延叠层，其中所述外延叠层包括一N型氮化镓层、一有源区以及一P型氮化镓层，其中所述衬底、所述N型氮化镓层、所述有源区和所述P型氮化镓层依次层叠；至少一反射层，其中所述反射层层叠于所述P型氮化镓层的一部分表面；至少两绝缘层，其中一个所述绝缘层以层叠于所述P型氮化镓层的一部分表面的方式环绕于所述反射层的内侧，另一个所述绝缘层以层叠于所述P型氮化镓层的一部分表面的方式环绕于所述反射层的外侧；至少一防扩散层，其中所述防扩散层层叠于所述反射层和所述绝缘层；以及一电极组，其中所述电极组包括一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极被电连接于所述外延叠层的所述N型氮化镓层，所述P型电极被电连接于所述防扩散层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门乾照光电股份有限公司，未经厦门乾照光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821242998.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：四色发光二极管与LED显示屏
- 下一篇：发光二极管的倒装芯片
