[实用新型]用于蚀刻含锗材料的系统有效
| 申请号： | 201821252033.5 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN209000867U | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | M·科罗利克;N·英格尔;D·基欧西斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨学春;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于蚀刻含锗材料的示例性系统可以包括半导体处理腔室的远程等离子体区域、腔室部件以及所述半导体处理腔室的处理区域。远程等离子体区域可被配置用于形成含氟前驱物的等离子体。腔室部件的孔可被涂覆有催化材料。催化材料可被配置用于降低等离子体流出物中的氟自由基的浓度。处理区域可被配置用于容置待由所述等离子体流出物蚀刻的包含含锗材料的基板。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 锗材料 半导体处理腔室 远程等离子体 处理区域 催化材料 腔室部件 流出物 配置 氟自由基 前驱物 含氟 基板 容置 涂覆 | ||
【主权项】：
1.一种用于蚀刻含锗材料的系统，所述系统包括：半导体处理腔室的远程等离子体区域，其被配置用于形成含氟前驱物的等离子体；腔室部件，其中所述腔室部件的孔被涂覆有催化材料，所述催化材料被配置用于降低等离子体流出物中的氟自由基的浓度；以及所述半导体处理腔室的处理区域，其被配置用于容置待由所述等离子体流出物蚀刻的包含含锗材料的基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
