[实用新型]一种双负极光电二极管芯片有效

专利信息
申请号: 201821252819.7 申请日: 2018-08-02
公开(公告)号: CN208596681U 公开(公告)日: 2019-03-12
发明(设计)人: 刘宏亮;杨彦伟;陆一锋;刘格 申请(专利权)人: 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 代理人: 田俊峰
地址: 518000 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种双负极光电二极管芯片,光电二极管芯片包括:芯片衬底;设置在芯片衬底一侧表面的外延功能层;外延功能层具有位于芯片衬底表面的负极凸台以及位于负极凸台背离芯片衬底一侧表面的正极凸台;负极凸台背离芯片衬底一侧的表面具有第一区域以及包围第一区域的第二区域,正极凸台位于第一区域;位于正极凸台背离负极凸台一侧表面的第一电极环;位于第二区域的第二电极环;第一电极环连接有一个焊盘,第二电极环连接有两个焊盘。第二电极环可以通过两根并行金属线与其他元件连接时的电感,与其他元件连接后,具有较低的电感,两根金线连接可以提高器件连接的可靠性。
搜索关键词: 负极 凸台 衬底 芯片 光电二极管芯片 正极 第二电极 第一区域 电感 第二区域 第一电极 外延功能 元件连接 背离 焊盘 本实用新型 并行金属 衬底表面 金线连接 器件连接 包围
【主权项】:
1.一种双负极光电二极管芯片,其特征在于,所述双负极光电二极管芯片包括:芯片衬底;设置在所述芯片衬底一侧表面的外延功能层;所述外延功能层具有位于所述芯片衬底表面的负极凸台以及位于所述负极凸台背离所述芯片衬底一侧表面的正极凸台;所述负极凸台背离所述芯片衬底一侧的表面具有第一区域以及包围所述第一区域的第二区域,所述正极凸台位于所述第一区域;位于所述正极凸台背离所述负极凸台一侧表面的第一电极环;位于所述第二区域的第二电极环;其中,所述第一电极环连接有一个焊盘,所述第二电极环连接有两个焊盘,所有所述焊盘位于同一平面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司,未经深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821252819.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top