[实用新型]一种双负极光电二极管芯片有效
申请号: | 201821252819.7 | 申请日: | 2018-08-02 |
公开(公告)号: | CN208596681U | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 刘宏亮;杨彦伟;陆一锋;刘格 | 申请(专利权)人: | 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人: | 田俊峰 |
地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种双负极光电二极管芯片,光电二极管芯片包括:芯片衬底;设置在芯片衬底一侧表面的外延功能层;外延功能层具有位于芯片衬底表面的负极凸台以及位于负极凸台背离芯片衬底一侧表面的正极凸台;负极凸台背离芯片衬底一侧的表面具有第一区域以及包围第一区域的第二区域,正极凸台位于第一区域;位于正极凸台背离负极凸台一侧表面的第一电极环;位于第二区域的第二电极环;第一电极环连接有一个焊盘,第二电极环连接有两个焊盘。第二电极环可以通过两根并行金属线与其他元件连接时的电感,与其他元件连接后,具有较低的电感,两根金线连接可以提高器件连接的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 负极 凸台 衬底 芯片 光电二极管芯片 正极 第二电极 第一区域 电感 第二区域 第一电极 外延功能 元件连接 背离 焊盘 本实用新型 并行金属 衬底表面 金线连接 器件连接 包围 | ||
【主权项】:
1.一种双负极光电二极管芯片,其特征在于,所述双负极光电二极管芯片包括:芯片衬底;设置在所述芯片衬底一侧表面的外延功能层;所述外延功能层具有位于所述芯片衬底表面的负极凸台以及位于所述负极凸台背离所述芯片衬底一侧表面的正极凸台;所述负极凸台背离所述芯片衬底一侧的表面具有第一区域以及包围所述第一区域的第二区域,所述正极凸台位于所述第一区域;位于所述正极凸台背离所述负极凸台一侧表面的第一电极环;位于所述第二区域的第二电极环;其中,所述第一电极环连接有一个焊盘,所述第二电极环连接有两个焊盘,所有所述焊盘位于同一平面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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