[实用新型]一种紫外激光倍频器有效
申请号: | 201821253486.X | 申请日: | 2018-08-06 |
公开(公告)号: | CN208707065U | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 校金涛;陈基平 | 申请(专利权)人: | 福建科彤光电技术有限公司 |
主分类号: | H01S3/00 | 分类号: | H01S3/00 |
代理公司: | 福州盈创知识产权代理事务所(普通合伙) 35226 | 代理人: | 李明通 |
地址: | 350000 福建省福州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种紫外激光倍频器,特别涉及激光技术领域。这种紫外激光倍频器包括紫外激光器、二倍频非线性晶体、三倍频非线性晶体、走离补偿控制晶体,所述二倍频非线性晶体设于所述紫外激光器与所述三倍频非线性晶体之间,所述走离补偿控制晶体设于所述二倍频非线性晶体与所述三倍频非线性晶体之间,所述二倍频非线性晶体与所述三倍频非线性晶体分别优选LBO晶体,所述走离补偿控制晶体优选薄片状单轴晶体,通过采用二倍频与三倍频非线性晶体组合构成倍频器结构,其中二倍频晶体优先采用非临界相位匹配方式,通过控制三倍频晶体的走离效应方向和位置,增大了基频光与倍频光的互作用区域,以此获得三倍频高效紫外激光输出,结构简单,效果明显。 | ||
搜索关键词: | 非线性晶体 三倍频 二倍频 紫外激光倍频 补偿控制 紫外激光器 优选 非临界相位匹配 激光技术领域 本实用新型 二倍频晶体 互作用区域 三倍频晶体 单轴晶体 效应方向 紫外激光 薄片状 倍频光 倍频器 基频光 输出 | ||
【主权项】:
1.一种紫外激光倍频器,其特征在于:包括紫外激光器(1)、二倍频非线性晶体(2)、三倍频非线性晶体(3)、走离补偿控制晶体(4),所述二倍频非线性晶体(2)设于所述紫外激光器(1)与所述三倍频非线性晶体(3)之间,所述走离补偿控制晶体(4)设于所述二倍频非线性晶体(2)与所述三倍频非线性晶体(3)之间,所述二倍频非线性晶体(2)与所述三倍频非线性晶体(3)分别为BBO晶体、LBO晶体、CLBO晶体、BiBO晶体或KTP晶体,所述走离补偿控制晶体(4)为YVO4单轴晶体、α‑BBO单轴晶体或与所述三倍频非线性晶体(3)材质相同的晶体。
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