[实用新型]一种大浪涌单向TVS器件有效
| 申请号： | 201821258814.5 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN208781854U | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 蒋骞苑;王允;苏海伟;赵德益;杜牧涵;赵志方;张彩霞;徐亚静;冯星星;吴青青;张利明 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/861;H01L21/285;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 衣然 |
| 地址： | 201202 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种大浪涌单向TVS器件，包括P型衬底硅片、正面N+区，背面N+区，所述P型衬底硅片正面设有绝缘介质层，所述正面N+区通过接触孔引出正面阴极金属，所述背面N+区和P衬底硅片同时引出背面阳极金属，使得背面N+区和P衬底硅片短接。本实用新型通过在衬底片背面增加的N+区域，形成寄生NPN晶体管，并对和域同时做金属引出，使寄生NPN晶体管的发射极与基极短接，实现了在同等面积条件下，大幅度提高了TVS的浪涌能力，所获得的TVS器件具有大功率、体积小、集成度高、成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 寄生NPN晶体管 本实用新型 衬底硅片 大浪 短接 绝缘介质层 阳极金属 阴极金属 衬底片 发射极 集成度 接触孔 体积小 浪涌 金属 | ||
【主权项】：
1.一种大浪涌单向TVS器件，其特征在于，包括P型衬底硅片、正面N+区，背面N+区，所述P型衬底硅片正面设有绝缘介质层，所述正面N+区通过接触孔引出正面阴极金属，所述背面N+区和P衬底硅片同时引出背面阳极金属，使得背面N+区和P衬底硅片短接。
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