[实用新型]发光二极管的倒装芯片

摘要

本实用新型公开了一发光二极管的倒装芯片，其中所述倒装芯片包括一外延单元、层叠于所述外延单元的一反射层、层叠于所述外延单元且包覆所述反射层的一防扩散层、层叠于所述防扩散层的一第一绝缘层、层叠于所述第一绝缘层的一电流扩展层以及层叠于所述电流扩展层的一电极组，其中所述第一绝缘层具有多个连接针通道，以供容纳所述电流扩展层的连接针，其中所述第一绝缘层的用于形成所述连接针通道的内壁为多段式内壁，通过这样的方式，能够扩大所述第一绝缘层于所述电流扩展层的结合面积，从而提高所述倒装芯片的可靠性。

主权项

1.一发光二极管的倒装芯片，其特征在于，包括：一外延单元，其中所述外延单元包括一透明的衬底和自所述衬底依次生长的一第一半导体层、一有源区以及一第二半导体层，其中所述外延单元具有至少一半导体裸露部，所述半导体裸露部自所述第二半导体层经所述有源区延伸至所述第一半导体层；一反射层，其中所述反射层具有至少一反射层通道，其中所述反射层层叠于所述第二半导体层，并且所述半导体裸露部对应于和连通所述反射层通道；一防扩散层，其中所述防扩散层具有至少一防扩散层通道，其中所述防扩散层以包覆所述反射层和电连接所述第二半导体层的方式层叠于所述第二半导体层，并且所述反射层通道对应于和连通所述防扩散层通道；一第一绝缘层，其中所述第一绝缘层具有至少一第一连接针通道和至少一第二连接针通道，其中所述第一绝缘层层叠于所述防扩散层并经所述防扩散层通道和所述反射层通道延伸至所述半导体裸露部，其中所述第一连接针通道延伸至所述第一半导体层以暴露所述第一半导体层，所述第二连接针通道延伸至所述防扩散层以暴露所述防扩散层，其中所述第一绝缘层的用于形成所述第一连接针通道的第一内壁为多段式内壁；一电流扩展层，其中所述电流扩展层包括至少一第一电流扩展部和至少一第二电流扩展部，其中所述第一电流扩展部层叠于所述第一绝缘层，并且所述第一电流扩展部的第一扩展部连接针经所述第一连接针通道电连接于所述第一半导体层，其中所述第二电流扩展部层叠于所述第一绝缘层，并且所述第二电流扩展部的第二扩展部连接针经所述第二连接针通道电连接于所述防扩散层；以及一电极组，其中所述电极组包括一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极电连接于所述第一电流扩展部，所述P型电极电连接于所述第二电流扩展部。