[实用新型]使用分布式电容的磁共振射频线圈结构有效

专利信息
申请号: 201821261853.0 申请日: 2018-08-07
公开(公告)号: CN208860944U 公开(公告)日: 2019-05-14
发明(设计)人: 张松涛;陶世良 申请(专利权)人: 上海辰光医疗科技股份有限公司
主分类号: G01R33/34 分类号: G01R33/34
代理公司: 上海唯源专利代理有限公司 31229 代理人: 曾耀先
地址: 201700 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种使用分布式电容的磁共振射频线圈结构,包括绝缘介质、位于绝缘介质的上下表面的上下层导体,上下层导体交错分布,相邻的上下层导体之间交叠,交叠的上层导体与中间的绝缘介质一起形成分布式电容。或者,不包括下层导体,上层导体在绝缘介质的上表面间隔设置,间距为1微米到1000毫米之间从而形成分布式电容。或者部分使用传统的陶瓷电容连接,而其余部分使用分布式电容。这些分布式电容(以及可能使用的部分的陶瓷电容)和导体形成谐振回路,从而用来探测磁共振射频信号。本实用新型成本低、图像质量好、安全性高、并能显著地降低线圈的重量,提高其柔软度,改善其可靠性,设计巧妙,结构简洁,生产工艺简单,调试方便。
搜索关键词: 导体 分布式电容 绝缘介质 磁共振 上下层 射频线圈结构 本实用新型 陶瓷电容 交叠 上层 间隔设置 交错分布 上下表面 射频信号 谐振回路 传统的 柔软度 上表面 下层 生产工艺 调试 探测 图像
【主权项】:
1.一种使用分布式电容的磁共振射频线圈结构,其特征在于,所述的使用分布式电容的磁共振射频线圈结构的射频线圈的射频回路包括若干段上层导体、若干段下层导体和一层绝缘介质,所述上层导体和所述下层导体位于所述绝缘介质的上表面和下表面,所述上层导体和所述下层导体交错分布,相邻的所述上层导体和所述下层导体交叠,交叠的所述上层导体、所述下层导体和中间的所述绝缘介质一起形成分布式电容,所述分布式电容把互不连通的若干段所述上层导体和若干段所述下层导体形成所述射频回路。
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