[实用新型]多腔室晶圆处理设备有效
| 申请号： | 201821265863.1 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN208674075U | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 周亚勇;盖晨光;刘家桦;叶日铨 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种多腔室晶圆处理设备，包括：处理腔室；真空传送腔室，所述真空传送腔室包括两个相互隔离的子传送腔室，每个子传送腔室内均设置有机械手，每个子传送腔室均通过阀门与所述处理腔室连接；至少两个缓冲室，与真空传送腔室连接，所述真空传送腔室的每个子传送腔室至少连接至其中一个缓冲室。上述多腔室晶圆处理设备能够避免晶圆交叉污染，提高设备的产能。 | ||
| 搜索关键词： | 真空传送腔 晶圆处理设备 传送腔室 多腔室 处理腔室 缓冲室 交叉污染 有机械手 传送腔 产能 阀门 晶圆 隔离 室内 | ||
【主权项】：
1.一种多腔室晶圆处理设备，其特征在于，包括：处理腔室；真空传送腔室，所述真空传送腔室包括两个相互隔离的子传送腔室，每个子传送腔室内均设置有机械手，每个子传送腔室均通过阀门与所述处理腔室连接；至少两个缓冲室，与真空传送腔室连接，所述真空传送腔室的每个子传送腔室至少连接至其中一个缓冲室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
