[实用新型]一种用于电力电子器件MOS模块的DBC基板有效
| 申请号： | 201821269860.5 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN208589440U | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 周文定 | 申请（专利权）人： | 成都赛力康电气有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/49;H01L23/498 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 邹敏菲 |
| 地址： | 610219 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于电力电子器件MOS模块的DBC基板，包括双面DBC板，DBC板分为与输出端子V0连接的第一DBC板和第二DBC板，第一DBC板和第二DBC板上分别设置有与外部连接的压焊端子和功率MOSFET模块，功率MOSFET模块中包括至少1组并联的2个功率MOSFET，每组功率MOSFET之间并联，每组的2个功率MOSFET的栅极分别与2个栅极控制端连接，2个栅极控制端由外部电路控制连接，2个功率MOSFET的源极共同连接到1个源极控制端和源极输出回路。本实用新型能够有效地降低在大电流应用时产生的不良的尖峰脉冲信号，确保器件工作中不会发生上下桥直通的情况，进而发生MOS器件烧毁。 | ||
| 搜索关键词： | 功率MOSFET 功率MOSFET模块 电力电子器件 栅极控制 并联 源极 尖峰脉冲信号 本实用新型 大电流应用 控制连接 输出端子 外部电路 外部连接 源极输出 控制端 上下桥 有效地 基板 压焊 烧毁 | ||
【主权项】：
1.一种用于电力电子器件MOS模块的DBC基板，其特征在于：包括双面DBC板(1)，DBC板分为与V0连接的第一DBC板(2)和第二DBC板(3)，第一DBC板和第二DBC板上分别设置有与外部连接的压焊端子(4)和功率MOSFET模块(5)，功率MOSFET模块中包括至少1组并联的2个功率MOSFET，每组功率MOSFET之间并联，每组的2个功率MOSFET的栅极分别与2个栅极控制端(6)连接，2个栅极控制端由外部电路控制连接，2个功率MOSFET的源极共同连接到1个源极控制端(7)和源极输出回路(8)。
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