[实用新型]一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片

摘要

本申请提供了一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片，包括背面层状金属电极、正面层状金属电极、欧姆接触层、衬底、外延层一、外延层二、P型保护环、N型离子注入层、肖特基金属Pt层、环状钝化层以及环状聚酰亚胺膜；本申请通过采用PN结和肖特基结并联设计、双层外延生长、离子注入氮离子掺杂、使用肖特基金属Pt在大电流下产生大注入效应，降低了外延层电阻率，实现了大电流下低正向压降肖特基二极管的制作，从而克服了现有技术中选择低势垒金属和增大版图面积在降低器件正向压降的同时增大器件反向漏电流，降低器件成品率，增加制造成本的不足。

主权项

1.一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片，其特征在于，包括背面层状金属电极、正面层状金属电极、欧姆接触层、衬底、外延层一、外延层二、P型保护环、N型离子注入层、肖特基金属Pt层、环状钝化层以及环状聚酰亚胺膜；所述背面层状金属电极、欧姆接触层、衬底、外延层一以及外延层二从下往上依次叠加，所述衬底的上表面上设置有外延层一，所述外延层一的上表面上设置有所述外延层二，所述衬底的下表面上淀积设置有所述欧姆接触层，所述欧姆接触层的下表面上淀积设置有所述背面层状金属电极；所述外延层二的上表面处通过离子注入设置有P型保护环；所述外延层二的且位于所述P型保护环的环内的上表面处通过离子注入设置有所述N型离子注入层，且所述N型离子注入层填满所述P型保护环的内环；所述环状钝化层设置在所述外延层二的上表面上且所述环状钝化层的下环状表面的内圈遮盖所述P型保护环的上环状表面的外圈；所述N型离子注入层的上表面上淀积设置有所述肖特基金属Pt层，且所述肖特基金属Pt层填满所述环状钝化层的内环；所述正面层状金属电极覆盖着所述肖特基金属Pt层的上表面以及所述环状钝化层的上环状表面的内圈；所述环状聚酰亚胺膜覆盖着所述正面层状金属电极的上表面以及所述环状钝化层的上环状表面的外圈且外露出所述正面层状金属电极的上表面的中间区域。