[实用新型]一种非标波导魔T功率分配/合成器有效
| 申请号： | 201821272162.0 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN208507910U | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 王斌 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 |
| 主分类号： | H01P5/19 | 分类号： | H01P5/19 |
| 代理公司： | 河北东尚律师事务所 13124 | 代理人： | 王文庆 |
| 地址： | 050081 河北省石家庄市中山西路*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种非标波导魔T功率分配/合成器，属于微波毫米波无源器件领域。其包括E臂、H臂、两个侧臂，以及位于波导腔内的阻抗匹配结构；阻抗匹配结构包括位于E臂正下方的台阶结构以及位于E臂末端的两个长方体金属块；两个长方体金属块分别位于E臂的两个窄边处。本实用新型具有隔离度好、工作带宽宽、插损小、体积小、结构简单的特点，特别适合应用于卫星通信微波信道发射机设备的功率合成器。 | ||
| 搜索关键词： | 功率分配/合成器 长方体金属块 阻抗匹配结构 本实用新型 波导 非标 发射机设备 功率合成器 微波毫米波 工作带宽 台阶结构 微波信道 无源器件 卫星通信 波导腔 隔离度 体积小 侧臂 插损 窄边 应用 | ||
【主权项】：
1.一种非标波导魔T功率分配/合成器，包括E臂、H臂、两个侧臂，以及位于波导腔内的阻抗匹配结构；其特征在于，所述E臂、H臂和两个侧臂均为减高的非标矩形波导，所述阻抗匹配结构包括位于E臂正下方的台阶结构以及位于E臂末端的两个长方体金属块；所述台阶结构包括设于波导腔底面上的第一圆柱以及立于第一圆柱上的与第一圆柱同心的第二圆柱，第一圆柱的半径大于第二圆柱的半径，第二圆柱伸入于E臂的波导腔内；两个长方体金属块分别位于E臂的两个窄边处，所述长方体金属块的底面与E臂波导腔的末端端面持平，所述长方体金属块的两端分别延及E臂的两个宽边。
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