[实用新型]一种半导体制冷片的温度控制电路有效

专利信息
申请号: 201821272853.0 申请日: 2018-08-08
公开(公告)号: CN209147532U 公开(公告)日: 2019-07-23
发明(设计)人: 郭锦兴 申请(专利权)人: 广州铂胜科技有限公司
主分类号: F25B49/00 分类号: F25B49/00;F25B21/04
代理公司: 广州粤弘专利代理事务所(普通合伙) 44492 代理人: 董武洲
地址: 510000 广东省广州市花都区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种半导体制冷片的温度控制电路,包括电阻R1,所述电阻R1的一端连接有输入端MCU Heater+PWM,电阻R1的另一端连接有电阻R2的一端和三极管Q1的基极,所述电阻R2的另一端接地,三极管Q1的发射极接地,三极管Q1的集电极连接有电阻R3的一端和电阻R4的一端,电阻R4的另一端连接有三极管Q2的基极,电阻R3的另一端连接有三极管Q2的发射极、输入端VCC Heater、二极管D1的正极、三极管Q3的发射极、二极管D2的正极和电阻R3的一端。本实用新型结构简单,安装方便,经济实用,在系统达到设定的温度时,可以通过PWM使换能片处于一个平衡温度,不至于烫伤或者冻伤人。
搜索关键词: 电阻 三极管 一端连接 正极 半导体制冷片 温度控制电路 本实用新型 二极管 发射极 输入端 发射极接地 集电极连接 安装方便 经济实用 接地 烫伤 冻伤 平衡
【主权项】:
1.一种半导体制冷片的温度控制电路,包括电阻R1,其特征在于,所述电阻R1的一端连接有输入端MCU Heater+PWM,电阻R1的另一端连接有电阻R2的一端和三极管Q1的基极,所述电阻R2的另一端接地,三极管Q1的发射极接地,三极管Q1的集电极连接有电阻R3的一端和电阻R4的一端,电阻R4的另一端连接有三极管Q2的基极,电阻R3的另一端连接有三极管Q2的发射极、输入端VCC Heater、二极管D1的正极、三极管Q3的发射极、二极管D2的正极和电阻R3的一端,三极管Q2的集电极连接有二极管D1的负极、三极管Q5的发射极和二极管D4的正极,三极管Q3的集电极连接有二极管D2的负极、三极管Q4的发射极、二极管D3的正极,三极管Q3的基极连接有电阻R5的一端,电阻R5的另一端连接有电阻R6的另一端和三极管Q6的集电极,三极管Q6的发射极接地,三极管Q6的基极连接有电阻R7的一端和电阻R8的一端,电阻R8的另一端接地,电阻R7的另一端连接有输出端MCU Heater‑PWM,三极管Q5的集电极连接有二极管D4的负极并接地,三极管Q5的基极连接有电阻R11的一端和电阻R12的一端,电阻R11的另一端接地,电阻R12的另一端连接有输入端MCU Heater+IO Ctrl,三极管Q4的集电极连接有二极管D3的负极并接地,三极管Q4的基极连接有电阻R10的一端和电阻R9的一端,电阻R10的另一端接地,电阻R9的另一端连接有输出端MCU Heater‑IO Ctrl。
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