[实用新型]晶体管结构有效
| 申请号： | 201821276032.4 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN208655657U | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/265;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种晶体管结构，包括：衬底，衬底上形成有核心结构，核心结构包括栅极结构及叠置于栅极结构上的盖帽结构，核心结构两侧的衬底上还形成有侧墙结构，侧墙结构贴置于核心结构的侧壁上；轻掺杂结构层，包括在侧墙结构的阻隔下自然分离在衬底不同深度且相互断离的轻掺杂结构层区和副结构层区，轻掺杂结构层区位于侧墙结构的下方，副结构层区位于轻掺杂结构层区的两侧；源漏结构区，形成于侧墙结构背离核心结构的一侧的衬底中，源漏结构区深于轻掺杂结构层区的深度差小于轻掺杂结构层区和副结构层区的深度间隔，使得源漏结构区相接于轻掺杂结构层区且不相接于副结构层区，由此提供了一种不同的晶体管结构以满足不同的技术需求。 | ||
| 搜索关键词： | 结构层 轻掺杂 侧墙结构 核心结构 衬底 副结构 晶体管结构 源漏结构 栅极结构 本实用新型 盖帽结构 技术需求 深度间隔 自然分离 深度差 侧壁 阻隔 背离 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管结构，其特征在于，所述晶体管结构包括：一衬底，所述衬底上形成有一核心结构，所述核心结构包括一栅极结构及叠置于所述栅极结构上的一盖帽结构，所述核心结构两侧的所述衬底上还形成有一侧墙结构，所述侧墙结构贴置于所述核心结构的侧壁上；一轻掺杂结构层，形成于所述衬底中，所述轻掺杂结构层包括在所述侧墙结构的阻隔下自然分离在不同深度且相互断离的轻掺杂结构层区和副结构层区，所述轻掺杂结构层区位于所述侧墙结构的下方，所述副结构层区位于所述轻掺杂结构层区的两侧；一源漏结构区，形成于所述侧墙结构背离所述核心结构的一侧的所述衬底中，其中所述源漏结构区深于所述轻掺杂结构层区的深度差小于所述轻掺杂结构层区和所述副结构层区的深度间隔，使得所述源漏结构区相接于所述轻掺杂结构层区且不相接于所述副结构层区。
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