[实用新型]集成传感器MEMS芯片及电子设备有效
| 申请号： | 201821293835.0 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN208667086U | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 李向光 | 申请（专利权）人： | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81B3/00 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 266104 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种集成传感器MEMS芯片及电子设备，该MEMS芯片包括：形成于SOI晶圆上的加速度传感器、温度传感器及湿度传感器；其中，加速度传感器包括：形成于薄膜层上的支撑梁、位于支撑梁上的多个第一压敏电阻、形成于第一衬底上的质量块，质量块通过形成在埋氧化层上的连接部与支撑梁连接；温度传感器包括：在薄膜层上经掺杂形成的PN结，PN结形成用于检测温度的二极管；湿度传感器包括：形成于第一衬底上的第一真空腔、形成于薄膜层的多个第二压敏电阻，薄膜层与第一真空腔正对位置涂抹有感湿材料，以形成感湿层。本实用新型解决了分立传感器在电路板需要占用较大的体积，而且贴装工艺繁琐的问题，提高了传感器的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜层 支撑梁 加速度传感器 本实用新型 集成传感器 湿度传感器 温度传感器 电子设备 压敏电阻 真空腔 质量块 衬底 电路板 分立传感器 二极管 埋氧化层 正对位置 集成度 感湿层 湿材料 传感器 晶圆 上经 贴装 涂抹 掺杂 占用 检测 | ||
【主权项】：
1.一种集成传感器MEMS芯片，其特征在于，所述集成传感器MEMS芯片包括：SOI晶圆，所述SOI晶圆包括第一衬底、覆盖在所述第一衬底上的薄膜层以及夹设在所述第一衬底与所述薄膜层之间的埋氧化层；形成于所述SOI晶圆上的加速度传感器、温度传感器及湿度传感器；其中，所述加速度传感器包括：形成于所述薄膜层上的支撑梁、位于所述支撑梁上的多个第一压敏电阻、形成于所述第一衬底上的质量块，所述质量块通过形成在所述埋氧化层上的连接部与所述支撑梁连接；多个所述第一压敏电阻连接，并被构成惠斯通电路；所述温度传感器包括：在所述薄膜层上经掺杂形成的PN结，所述PN结形成用于检测温度的二极管；所述湿度传感器包括：形成于所述第一衬底上的第一真空腔、形成于所述薄膜层的多个第二压敏电阻，所述薄膜层与所述第一真空腔正对位置涂抹有湿敏材料，以形成感湿层；多个所述第二压敏电阻对应所述第一真空腔的位置设置，多个所述第二压敏电阻连接，并被构成惠斯通电路。
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