[实用新型]一种N衬底单向骤回TVS器件有效

专利信息
申请号: 201821296131.9 申请日: 2018-08-13
公开(公告)号: CN208722884U 公开(公告)日: 2019-04-09
发明(设计)人: 王允;蒋骞苑;赵德益;苏海伟;叶毓明;赵志方;冯星星;吴青青;张利明;周显华 申请(专利权)人: 上海长园维安微电子有限公司;中兴通讯股份有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329
代理公司: 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 代理人: 衣然
地址: 201202 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种浅槽结构N衬底单向骤回TVS器件,包括N衬底TVS芯片和基岛,所述N衬底TVS芯片背面粘合在所述基岛上,其特征在于:所述N衬底TVS芯片背面P区与背面氧化层之间挖有浅槽,槽内填充有不含铅的绝缘材料填充物。本实用新型增加了背面浅槽,通过背面挖浅槽后氧化和填充工艺,将背面容易发生短路的位置保护起来,更换上芯工艺为刷胶工艺,避免了侧面溢胶问题,降低了短路风险;本实用新型浅槽工艺更利于背面填平,能够降低刷胶难度和对设备的损耗,提高上芯效率;本实用新型通过开发新型胶水,避免浪涌冲击时爆管和毛刺问题,提高了产品稳定性;本实用新型浅槽填充可选填充物可满足客户对RoHS和PB free要求。
搜索关键词: 本实用新型 背面 衬底 浅槽 填充 短路 基岛 上芯 刷胶 绝缘材料填充物 背面氧化层 产品稳定性 填充物 浪涌冲击 毛刺问题 浅槽结构 位置保护 新型胶水 溢胶问题 对设备 粘合 爆管 可选 填平 侧面 客户 开发
【主权项】:
1.一种N衬底单向骤回TVS器件,包括N衬底TVS芯片和基岛,所述N衬底TVS芯片背面粘合在所述基岛上,其特征在于:所述N衬底TVS芯片背面P区与背面氧化层之间挖有浅槽,槽内填充有不含铅的绝缘材料填充物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海长园维安微电子有限公司;中兴通讯股份有限公司,未经上海长园维安微电子有限公司;中兴通讯股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821296131.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top