[实用新型]铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极有效
申请号: | 201821321117.X | 申请日: | 2018-08-16 |
公开(公告)号: | CN208507690U | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 彭寿;夏申江;车兆华;黄海青;王伟健;张道清;周建民;徐根保;陈颉 | 申请(专利权)人: | 蚌埠兴科玻璃有限公司;中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/032 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人: | 陈俊 |
地址: | 233000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极,包括由下至上依次层叠设置的衬底、杂质阻挡层、金属导电层与硒阻挡层;杂质阻挡层为硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、Ti、Zr、Cr、V、Nb、Ta或Ni;金属导电层为Cu或Cu合金;硒阻挡层为单阻挡层或复合阻挡层,单阻挡层为钼、氧化钼或氮化钼,复合阻挡层由钼、氧化钼、氮化钼的两种或两种以上层叠构成;在以铜或铜合金为金属导电层的背电极中引入杂质阻挡层与硒阻挡层,杂质阻挡层能够阻止衬底中的杂质向铜铟镓硒薄膜光吸收层扩散;硒阻挡层能够阻止硒元素向金属导电层的扩散,避免了硒和金属导电层之间的反应,确保金属导电层的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 金属导电层 阻挡层 杂质阻挡层 背电极 铜铟镓硒薄膜太阳能电池 复合阻挡层 铜钼合金 氮化钼 氧化钼 衬底 铜铟镓硒薄膜 本实用新型 硅氮氧化物 扩散 光吸收层 硅氮化物 硅氧化物 依次层叠 铜合金 硒元素 引入 | ||
【主权项】:
1.铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极,其特征在于,包括由下至上依次层叠设置的衬底、杂质阻挡层、金属导电层与硒阻挡层;所述杂质阻挡层为硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、Ti、Zr、Cr、V、Nb、Ta或Ni;所述金属导电层为Cu或Cu合金;所述硒阻挡层为单阻挡层或复合阻挡层,单阻挡层为钼、氧化钼或氮化钼,复合阻挡层由钼、氧化钼、氮化钼的两种或两种以上层叠构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的