[实用新型]一种VDMOS的器件终端结构有效
| 申请号： | 201821323157.8 | 申请日： | 2018-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN208521940U | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 姚磊 | 申请（专利权）人： | 无锡光磊电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 王闯;葛莉华 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种VDMOS的器件终端结构，包括由下到上依次设有的重掺衬底、轻掺磷外延层、轻掺硼层、重掺硼层和二氧化硅层，重掺硼层设有至少一个深槽，所述深槽依次贯穿重掺硼层和轻掺硼层，所述深槽内填充有低介电常数绝缘介质作为p+环，所述低介电常数绝缘介质为二氧化硅。提高了平面型VDMOS的击穿电压，并减少了终端尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 掺硼 深槽 低介电常数 绝缘介质 终端结构 本实用新型 二氧化硅层 二氧化硅 击穿电压 平面型 外延层 掺磷 衬底 填充 终端 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种VDMOS的器件终端结构，包括由下到上依次设有的重掺衬底、轻掺磷外延层、轻掺硼层、重掺硼层和二氧化硅层，其特征在于，重掺硼层设有至少一个深槽，所述深槽依次贯穿重掺硼层和轻掺硼层，所述深槽内填充有低介电常数绝缘介质作为p+环。
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