[实用新型]一种氮化镓基发光二极管外延结构有效
| 申请号： | 201821331074.3 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN209133526U | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 刘建明;朱学亮;陈秉扬;刘信佑;赖昭序;张中英 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种氮化镓基发光二极管外延结构，该发光二极管包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、具有V型坑的发光层和第二半导体层；第一电极，与所述第一半导体层形成电性连接；第二电极，与所述第二半导体层形成电性连接；在发光层与第二半导体层之间设置电子阻挡层，电子阻挡层具有水平部分以及与V型坑对应的V型部分，水平部分和/或V型部分表面具有复数个孔洞结构，孔洞具有改善空穴注入的效果，提高了辐射复合发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 氮化镓基发光二极管 电子阻挡层 电性连接 外延结构 发光层 空穴 孔洞 本实用新型 发光二极管 发光外延层 第二电极 第一电极 复合发光 孔洞结构 复数 辐射 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延结构，外延结构自下而上依次包括第一半导体层、具有V型缺陷的发光层和第二半导体层；在发光层与第二半导体层之间设置电子阻挡层；其特征在于，电子阻挡层具有水平部分以及与V型缺陷对应的V型部分，水平部分和V型部分表面具有复数个孔洞结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门三安光电有限公司，未经厦门三安光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821331074.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种黑硅太阳能电池串焊装置
- 下一篇：一种防渗透支架
