[实用新型]一种GaN基级联功率器件有效
| 申请号： | 201821346933.6 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN208538856U | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王洪;陈泽亮;周泉斌;高升 | 申请（专利权）人： | 中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/495;H01L21/603 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 向玉芳 |
| 地址： | 528400 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种GaN基级联功率器件。该GaN基级联功率器件包括大栅宽GaN基功率芯片、硅基功率MOS芯片、TO‑220框架、小铜基板、导电银浆和绝缘胶；大栅宽GaN基功率芯片是横向结构的高耐压、耗尽型GaN基功率芯片，硅基功率MOS芯片是垂直结构的低压、增强型硅基功率MOS芯片。硅基功率MOS芯片通过导电银浆与小铜基板连接，小铜基板通过绝缘胶与TO‑220框架的基岛连接；大栅宽GaN基功率芯片通过绝缘胶固定在TO‑220框架的基岛上；本实用新型通过引入Cascode方式，将大栅宽GaN基功率芯片与硅基功率MOS芯片结合起来，组合成实用性更广的增强型的GaN基功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 功率芯片 功率MOS 硅基 功率器件 大栅 绝缘胶 级联 小铜 芯片 本实用新型 导电银浆 增强型 基板 基岛 垂直结构 横向结构 基板连接 芯片结合 高耐压 耗尽型 引入 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基级联功率器件，其特征在于，包括大栅宽GaN基功率芯片、硅基功率MOS芯片、TO‑220框架、小铜基板、导电银浆和绝缘胶；硅基功率MOS芯片和大栅宽GaN基功率芯片间隔设置在TO‐220框架的基岛上，设置位置为左右设置，硅基功率MOS芯片1左侧，大栅宽GaN基功率芯片在右侧；所述硅基功率MOS芯片是垂直结构的低压、增强型硅基功率MOS芯片；所述大栅宽GaN基功率芯片是横向结构的高耐压、耗尽型GaN基功率芯片；所述硅基功率MOS芯片通过导电银浆与小铜基板连接，小铜基板通过绝缘胶与TO‑220框架的基岛连接；大栅宽GaN基功率芯片通过绝缘胶固定在TO‑220框架的基岛上；硅基功率MOS芯片的栅极用一根38μm铜质内引线连接到TO‑220框架的源极；硅基功率MOS芯片的源极用三根125μm铝质内引线连接到TO‑220框架的基岛；硅基功率MOS芯片的漏极通过导电银浆引出到小铜基板；小铜基板的面积大于硅基功率MOS芯片，小铜基板上有一部分的空位，从小铜基板的空位处引出三根125μm铝质内引线到大栅宽GaN基功率芯片的源极；大栅宽GaN基功率芯片的栅极通过三根125μm铝质内引线连接到TO‑220框架的基岛上，大栅宽GaN基功率芯片的漏极用4根125μm铝质内引线引出到TO‑220框架的漏极，作为GaN基级联功率器件的漏极。
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